| SIR470DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Artikelnummer | SIR470DP-T1-GE3 |
| Tillverkare | Vishay Siliconix |
| Beskrivning | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Tillgänglig kvantitet | 31246 pcs new original in stock. Begär lager och offert |
| Ecad -modell | |
| Datablad | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
| SIR470DP-T1-GE3 Price |
Begär pris och ledtid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information av SIR470DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Tillverkarens varunummer | SIR470DP-T1-GE3 | Kategori | |
| Tillverkare | Vishay / Siliconix | Beskrivning | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| Förpackning / Fodral | PowerPAK® SO-8 | Tillgänglig kvantitet | 31246 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverantörs Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Serier | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| Effektdissipation (Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | Förpackning / Fodral | PowerPAK® SO-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp | Surface Mount | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 5660 pF @ 20 V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | FET-typ | N-Channel |
| FET-funktionen | - | Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På) | 4.5V, 10V |
| Avlopp till källspänning (Vdss) | 40 V | Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Basproduktnummer | SIR470 | ||
| Ladda ner | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Produktmodell
SIR470DP-T1-GE3
Introduktion
Högpresterande N-kanal TrenchFET Power MOSFET
Varumärke och tillverkare
Vishay / Siliconix
Funktioner
MOSFET (Metal Oxide) teknik, N-kanal typ, Tape & Reel (TR) förpackning för automatisk montering, ytmontage teknologi (SMT) kompatibel, RoHS-kompatibel för miljösäkerhet, blyfri för minskad toxicitet
Produktens prestanda
Drain till Source Spänning (Vdss) 40V, kontinuerlig drainström (Id) 60A vid 25°C (Tc), låg påståndmotstånd Rds On 2.3 mOhm vid 20A, 10V, Gate-laddning (Qg) av 155nC vid 10V, ingångskapacitans (Ciss) av 5660pF vid 20V, kan motstå höga temperaturer upp till 150°C (TJ)
Tekniska specifikationer
Effektförlust 6.25W (Ta), 104W (Tc), Gate-tröskelspänning (Vgs(th)) 2.5V vid 250A, driftsänning 4.5V (Max Rds On), 10V (Min Rds On), Gate-Source Spänning (Vgs max) ±20V
Mått, form och förpackning
PowerPAK SO-8 förpackning, leverantörens enhetsförpackning PowerPAK SO-8, förpackad i Tape & Reel (TR) för effektiva monteringsprocesser
Kvalitet och tillförlitlighet
Tillverkad av det ansedda företaget Vishay / Siliconix, robust konstruktion för långvarig prestanda
Produktfördelar
Hög drainström kapacitet, förbättrad energieffektivitet med lågt Rds On, lämplig för högdensitets kraftapplikationer
Produktkonkurrenskraft
Konkurrenskraftig inom högpresterande diskreta halvledare, erbjuder en balans mellan pris och prestanda
Kompatibilitet
Kompatibel med standard SMT tillverkningsprocesser, passar PowerPAK SO-8 standard fotavtryck och monteringsmetoder
Standardcertifiering och efterlevnad
RoHS-kompatibel för miljö- och konsumentsäkerhet
Livslängd och hållbarhet
Designad för lång operativ livslängd under specificerade förhållanden
Verkliga tillämpningsområden
Effektstyrning för datorkomponenter och nätverksutrustning, DC/DC-omvandlare, motorstyrningar, batteridrivna system, switching applikationer som kräver effektiv energikontroll
Maila oss: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ SIR470DP-T1-GE3 Online.
| SIR470DP-T1-GE3 lager | SIR470DP-T1-GE3 Pris | SIR470DP-T1-GE3 Electronics | |||
| SIR470DP-T1-GE3-komponenter | SIR470DP-T1-GE3 Inventory | SIR470DP-T1-GE3 Digikey | |||
| Leverantör SIR470DP-T1-GE3 | Beställ SIR470DP-T1-GE3 Online | Förfrågan SIR470DP-T1-GE3 | |||
| SIR470DP-T1-GE3 Bild | SIR470DP-T1-GE3 Bild | SIR470DP-T1-GE3 PDF | |||
| SIR470DP-T1-GE3 Datablad | Hämta SIR470DP-T1-GE3 Datablad | Tillverkare Vishay / Siliconix | |||
| Relaterade delar till SIR470DP-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beskrivning | Tillverkare | Få ett citat | |
 |
SIR466DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
 |
SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SIR470DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SIR470DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIR4680DP-T1-GE3 | VISHAY QFN | VISHAY | ||
|
SiR472DP MOS | VISHAY DFN-856 | VISHAY | ||
 |
SIR472ADP-T1 | ||||
|
SIR472DP | SIR472DP VISHAY | VISHAY | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 MCU | VISHAY QFN8 | VISHAY | ||
|
SiR470DP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
|
SIR466DP-T1-GE3 MOS | VISHAY SON8 | VISHAY | ||
|
SIR472DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SIR472ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 | Vishay Siliconix | ||
|
SiR468DP MOS | VISHAY DFN-856 | VISHAY | ||
|
SiR472ADP | VISHAY DFN56 | VISHAY | ||
|
SiR472DP-T1-E3 | SiR472DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
|
SiR470DP-T1-E3 | SiR470DP-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
Nyheter
Mer
Microchips Polarfire® SOC FPGA har fått AEC -Q100 -certifiering, vilket bekräftar dess tillförlitlighet under hårda bilförhållanden, inklusive ...
PSOCTM 4000T är Infineons första produkt med företagets femte generationens Capsense ™ -teknologi och multi-sense-funktionalitet.Denna avkännings...
En ledare av bildelar leverantör avslöjade att EV -utvecklingen på den nordamerikanska marknaden har stannat när biltillverkare väljer att förl...
Infineon och Eatron utvidgar sitt AI Battery Management System (BMS) samarbete till industriell och konsumentelektronik.Baserat på Infineons PSOC ™ ...
På halvledare tillkännagav nyligen lanseringen av sin första realtid, indirekta tid-of-flight (ITOF) sensor, Hyperlux-ID-serien, som kan utföra h...
Nya produkter
Mer
PD30-serien fotoelektrisk sensor Carlo Gavazzis miniatyr fotoelektriska sensorer är högpresterande...
XC112 / XR112 utvärderingssats för A111 pulserad koherent radarAcconeers XC112 och XR112 utvärderingssats med plana flexibla kablar och stöd för ...
MINAS A6 Seriens servodrivare och motorer Panasonics MINAS A6-familj garanterar en stabil drift geno...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED-styrkort för XE och XP1-serien av UV-C-emitterar RayVio Ultra...
Industriellt och utökat test DDR SDRAM Insignis DDR SDRAM-enheter garanterar drift vid förhöjda k...
E-post: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LÄGG TILL: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelande om upphovsrätt © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alla rättigheter förbehållna.