| HGTG10N120BND | |
|---|---|
| Artikelnummer | HGTG10N120BND |
| Tillverkare | onsemi |
| Beskrivning | IGBT NPT 1200V 35A TO247-3 |
| Tillgänglig kvantitet | 6982 pcs new original in stock. Begär lager och offert |
| Ecad -modell | |
| Datablad | 1.HGTG10N120BND.pdf2.HGTG10N120BND.pdf3.HGTG10N120BND.pdf4.HGTG10N120BND.pdf5.HGTG10N120BND.pdf6.HGTG10N120BND.pdf7.HGTG10N120BND.pdf8.HGTG10N120BND.pdf |
| HGTG10N120BND Price |
Begär pris och ledtid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information av HGTG10N120BND | |||
|---|---|---|---|
| Tillverkarens varunummer | HGTG10N120BND | Kategori | |
| Tillverkare | onsemi | Beskrivning | IGBT NPT 1200V 35A TO247-3 |
| Förpackning / Fodral | TO-247-3 | Tillgänglig kvantitet | 6982 pcs |
| Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Vce (på) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Testvillkor | 960V, 10A, 10Ohm, 15V | Td (på / av) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
| Växla energi | 850µJ (on), 800µJ (off) | Leverantörs Device Package | TO-247-3 |
| Serier | - | Omvänd återställningstid (trr) | 70 ns |
| Effekt - Max | 298 W | Förpackning / Fodral | TO-247-3 |
| Paket | Tube | Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp | Through Hole | Inmatningstyp | Standard |
| IGBT-typ | NPT | Gate Charge | 100 nC |
| Nuvarande - Samlare Pulsad (Icm) | 80 A | Nuvarande - Samlare (Ic) (Max) | 35 A |
| Basproduktnummer | HGTG10N120 | ||
| Ladda ner | HGTG10N120BND PDF - EN.pdf | ||
Produktmodell
HGTG10N120BND
Introduktion
IGBT NPT 1200V 35A 298W Genomgående hål TO-247
Varumärke och tillverkare
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Funktioner
Hög spänningskapacitet upp till 1200V
Hög strömhantering upp till 35A
Blyfri / RoHS-kompatibel
Låg växlingenergi krav
Fuktighetsanalysnivå 1
Produktens prestanda
Kollektor-Emitter brytningsspänning: 1200V
Maximal kollektorström: 35A
Effektutgång: 298W
Återhämtningssignalstid: 70ns
Växlingenergi: 850J på, 800J av
Grindladdning: 100nC
Fördröjningstid (på/av): 23ns/165ns
Tekniska specifikationer
Spänning Kollektor-Emitter brytningsspänning (Max): 1200V
Ström Kollektor (Ic) (Max): 35A
Effekt Max: 298W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Ström Kollektor Pulserad (Icm): 80A
Testförhållande: 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Mått, form och förpackning
Förpackning / Hölje: TO-247-3
Leverantörens enhetspaket: TO-247
Monteringstyp: Genomgående hål
Förpackning: Rör
Kvalitet och tillförlitlighet
Robust termisk prestanda
Utformad för lång driftstid
Hög tillförlitlighet under extrema förhållanden
Produktfördelar
Hög effektivitet med låga ledningsförluster
Hållbar och pålitlig under högspänningsoperationer
Produktkonkurrenskraft
Överlägsen prestanda i högspänningsoch högeffektapplikationer
Konkurrenskraftig på marknader som kräver robusta kraftstyrningslösningar
Kompatibilitet
Lämplig för hög effekt växlingapplikationer
Kompatibel med standard grinddrivningsspänningar
Standardcertifiering och efterlevnad
Blyfri status / RoHS-status: Blyfri / RoHS-kompatibel
Livslängd och hållbarhet
Utformad för långsiktig tillförlitlighet
Miljövänliga material och efterlevnad
Verkliga tillämpningsområden
Kraftförsörjningssystem
Motorstyrningar
Växelriktare
Förnybara energitillämpningar
Maila oss: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ HGTG10N120BND Online.
| HGTG10N120BND lager | HGTG10N120BND Pris | HGTG10N120BND Electronics | |||
| HGTG10N120BND-komponenter | HGTG10N120BND Inventory | HGTG10N120BND Digikey | |||
| Leverantör HGTG10N120BND | Beställ HGTG10N120BND Online | Förfrågan HGTG10N120BND | |||
| HGTG10N120BND Bild | HGTG10N120BND Bild | HGTG10N120BND PDF | |||
| HGTG10N120BND Datablad | Hämta HGTG10N120BND Datablad | Tillverkare | |||
| Relaterade delar till HGTG10N120BND | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beskrivning | Tillverkare | Få ett citat | |
 |
HGTG12N60A4D | IGBT 600V 54A 167W TO247 | onsemi | ||
 |
HGTD7N60C3S9A | IGBT 600V 14A TO252AA | onsemi | ||
 |
HGTD8P50G1 | 8A, 500V P-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTG12N60B3 | IGBT 600V 27A 104W TO247 | onsemi | ||
|
HGTG11N120CN | IGBT 1200V 43A 298W TO247 | onsemi | ||
|
HGTG12N60A4 | IGBT 600V 54A 167W TO247 | onsemi | ||
 |
HGTG10N120BN | HGTG10N120BN FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
 |
HGTD8P50GIS | 8A, 500V P-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTG11N120CN | N-CHANNEL IGBT | Fairchild Semiconductor | ||
|
HGTG12N60A4 | N-CHANNEL IGBT | Fairchild Semiconductor | ||
|
HGTD7N60C3S9A | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Fairchild Semiconductor | ||
|
HGTG12N60C3D | 24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL | Fairchild Semiconductor | ||
|
HGTD7N60B3 | 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTG11N120CND | 1200V, NPT IGBT | Fairchild Semiconductor | ||
|
HGTD7N60B3S | 14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTD8P50G1S | 8A, 500V P-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTG11N120CND | IGBT NPT 1200V 43A TO247-3 | onsemi | ||
|
HGTD7N60C3 | 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
|
HGTG12N60B3D | HGTG12N60B3D ITS | ITS | ||
|
HGTD7N60C3S | 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT | Harris Corporation | ||
Nyheter
Mer
Microchips Polarfire® SOC FPGA har fått AEC -Q100 -certifiering, vilket bekräftar dess tillförlitlighet under hårda bilförhållanden, inklusive ...
PSOCTM 4000T är Infineons första produkt med företagets femte generationens Capsense ™ -teknologi och multi-sense-funktionalitet.Denna avkännings...
En ledare av bildelar leverantör avslöjade att EV -utvecklingen på den nordamerikanska marknaden har stannat när biltillverkare väljer att förl...
Infineon och Eatron utvidgar sitt AI Battery Management System (BMS) samarbete till industriell och konsumentelektronik.Baserat på Infineons PSOC ™ ...
På halvledare tillkännagav nyligen lanseringen av sin första realtid, indirekta tid-of-flight (ITOF) sensor, Hyperlux-ID-serien, som kan utföra h...
Nya produkter
Mer
PD30-serien fotoelektrisk sensor Carlo Gavazzis miniatyr fotoelektriska sensorer är högpresterande...
XC112 / XR112 utvärderingssats för A111 pulserad koherent radarAcconeers XC112 och XR112 utvärderingssats med plana flexibla kablar och stöd för ...
MINAS A6 Seriens servodrivare och motorer Panasonics MINAS A6-familj garanterar en stabil drift geno...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED-styrkort för XE och XP1-serien av UV-C-emitterar RayVio Ultra...
Industriellt och utökat test DDR SDRAM Insignis DDR SDRAM-enheter garanterar drift vid förhöjda k...
E-post: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LÄGG TILL: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelande om upphovsrätt © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alla rättigheter förbehållna.