Produktmodell

FDG6332C

Introduktion

Mosfet Array N- och P-kanal 20V 700mA, 600mA

Varumärke och tillverkare

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Funktioner

N- och P-kanal, Logiknivå Gate, Ytmonteringsteknik, Blyfri, RoHS-kompatibel

Produktens prestanda

Dränering till källspänning: 20V, Kontinuerlig dräneringsström: 700mA (N-kanal), 600mA (P-kanal), Rds On (Max): 300 mOhm vid 700mA, 4.5V, Gate-laddning (Qg) (Max): 1.5nC vid 4.5V, Induktiv kapacitans (Ciss) (Max): 113pF vid 10V

Tekniska specifikationer

Effekt - Max: 300mW, Spänning - Utgång: PowerTrench, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V vid 250µA

Mått, form och förpackning

6-TSSOP, SC-88, SOT-363 förpackning, Leverantörsenhetspaket: SC-70-6, Förpackning: Tape & Reel (TR)

Kvalitet och tillförlitlighet

Fuktighetskänslighetsnivå (MSL): 1 (Obegränsad)

Produktfördelar

Hög effektivitet med PowerTrench-teknologi, Låg på-resistans, Hög termisk prestanda

Produktkonkurrenskraft

Konkurrenskraftigt prissatt med robusta prestandamått i sin klass

Kompatibilitet

Kompatibel med logiknivåapplikationer

Standardcertifiering och efterlevnad

Blyfri, RoHS-kompatibel

Livslängd och hållbarhet

Hållbar design avsedd för långsiktig användning i olika miljöer

Verkliga tillämpningsområden

Används inom energihantering, switchning och förstärkningsapplikationer över flera sektorer inklusive konsumentelektronik, fordon och industriella system

FDG6332C är nya och original på lager, hitta FDG6332C elektronik komponenter lager, datablad, lager och pris på Ariat-Tech. Online, Beställ FDG6332C onsemi med garanti och förtroende från Ariat Technology Limitd. Skicka via DHL / FedEx / UPS. Betalning med banköverföring eller PayPal är OK.
Maila oss: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ FDG6332C Online.