| FDP027N08B | |
|---|---|
| Artikelnummer | FDP027N08B |
| Tillverkare | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beskrivning | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| Tillgänglig kvantitet | 31500 pcs new original in stock. Begär lager och offert |
| Ecad -modell | |
| Datablad | FDP027N08B.pdf |
| FDP027N08B Price |
Begär pris och ledtid online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Teknisk information av FDP027N08B | |||
|---|---|---|---|
| Tillverkarens varunummer | FDP027N08B | Kategori | Diskreta halvledarprodukter |
| Tillverkare | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beskrivning | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 |
| Förpackning / Fodral | Tube | Tillgänglig kvantitet | 31500 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Leverantörs Device Package | TO-220-3 |
| Serier | PowerTrench® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Effektdissipation (Max) | 246W (Tc) | Förpackning | Tube |
| Förpackning / Fodral | TO-220-3 | Driftstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstyp | Through Hole | Fuktkänslighetsnivå (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Ledningsfri status / RoHS-status | Lead free / RoHS Compliant | Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds | 13530pF @ 40V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V | FET-typ | N-Channel |
| FET-funktionen | - | Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På) | 10V |
| Avlopp till källspänning (Vdss) | 80V | detaljerad beskrivning | N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) | ||
| Ladda ner | FDP027N08B PDF - EN.pdf | ||
Maila oss: Info@Ariat-Tech.com eller RFQ FDP027N08B Online.
| FDP027N08B lager | FDP027N08B Pris | FDP027N08B Electronics | |||
| FDP027N08B-komponenter | FDP027N08B Inventory | FDP027N08B Digikey | |||
| Leverantör FDP027N08B | Beställ FDP027N08B Online | Förfrågan FDP027N08B | |||
| FDP027N08B Bild | FDP027N08B Bild | FDP027N08B PDF | |||
| FDP027N08B Datablad | Hämta FDP027N08B Datablad | Tillverkare | |||
| Relaterade delar till FDP027N08B | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Artikelnummer | Beskrivning | Tillverkare | Få ett citat | |
 |
FDP027N06B | FDP027N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B-F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP032N06 | FDP032N06 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06BH | FDP020N06BH FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B-F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP030N06B | FDP030N06B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B_F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP025N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP023N08B_F102 | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06B IC | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP023N08B | FDP023N08B FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP027N08B MOS | ON TO-220 | ON | ||
|
FDP030N06B_F102 | FDP030N06B_F102 N/A | N/A | ||
|
FDP023N08BH | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP030N06BTU | FDP030N06BTU FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
|
FDP025N06 MOS | FAIRCHILD TO-220 | FAIRCHILD | ||
|
FDP020N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
FDP020N06B_F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | N/A | ||
|
FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
Nyheter
Mer
När tekniken går framåt och informationsåldern anländer, förvandlar optiska nätverk, en effektiv och tillförlitlig dataöverföringsmetod grad...
IT Home rapporterade den 16 april att enligt marknadsrapporten "Global Semiconductor Equipment Market" som nyligen släpptes av Semiconductor Industry...
Den svenska unionen om Metall tillkännagav den 10 april att strejken från Tesla Mechanics är en av de längsta arbetstviterna i landet, och den for...
Nyligen har stora lagringstillverkare som Micron, Samsung och Western Digital meddelat prisökningar.Branschinsiders indikerar att från det första k...
I luften är den normala volymfraktionen av syreinnehållet cirka 20,9%, men när syreinnehållet faller under detta värde kan det leda till hypoxi. ...
Nya produkter
Mer
PD30-serien fotoelektrisk sensor Carlo Gavazzis miniatyr fotoelektriska sensorer är högpresterande...
XC112 / XR112 utvärderingssats för A111 pulserad koherent radar Acconeers XC112 och XR112 utvärde...
MINAS A6 Seriens servodrivare och motorer Panasonics MINAS A6-familj garanterar en stabil drift geno...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED-styrkort för XE och XP1-serien av UV-C-emitterar RayVio Ultra...
Industriellt och utökat test DDR SDRAM Insignis DDR SDRAM-enheter garanterar drift vid förhöjda k...
E-post: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966LÄGG TILL: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Meddelande om upphovsrätt © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Alla rättigheter förbehållna.